微電子與制藥行業用濕法工藝臭氧發生裝置

微電子與制藥行業用濕法工藝臭氧發生裝置

1. 電解式原理

• 去離子水（DI Water）直接電解生成 O?，無需氣源干燥、減壓或 PSA 制氧，避免 NOx、顆粒等副產物，臭氧純度高，金屬離子析出極低，適合晶圓清洗、光刻膠去除、CVD 后清洗等對污染極其敏感的工藝 。

2. 高耐久與低維護

• 采用鈦基+陶瓷復合電極板，表面納米涂層抑制析氧副反應，電極壽命較傳統電解槽提升約 2 倍；
• 槽體為全 PTFE 或 PFA 一體注塑，高溫 (≤80 °C) 濃臭氧環境無滲透、無腐蝕；
• 內置自動極性反轉與脈沖清洗程序，可防止 Ca/Mg 結垢，實現 8 000 h 以上免開蓋維護周期

  。

3. 性能范圍（FA1X 系列典型值）

• 臭氧產量：1–10 g/h（FA110 型最大 10 g/h，FA120 型 20 g/h，依此類推）；
• 出口濃度：5–200 mg/L 可調（以水溶液計，高濃度型最高 250 mg/L）；
• DI Water 流量：1–20 L/min，壓力 0.15–0.4 MPa；
• 電源：單相 AC 220 V 50/60 Hz，功率 80–300 W；
• 進出接口：3/8″ PFA 管或 ?″ 卡套，可訂制法蘭；
• 外形：桌面 320 × 220 × 420 mm（FA110），19″ 機架 4U/5U（FA120 以上）

  。

4. 在線監控與安全

• 標配紫外-可見光吸收 (UV-Vis) 型臭氧濃度計，分辨率 0.1 mg/L，誤差 ≤ ±2 %；
• PLC+7″ 觸控屏，實時顯示產量、濃度、槽溫、電導率；支持 RS-485/EtherNet/IP 與主機臺通信；
• 多段報警：低流量、超溫、電極劣化、O? 泄漏（<0.1 ppm）；泄漏時自動停槽并啟動催化分解器

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5. 典型應用

• 半導體：晶圓清洗、柵氧前清洗、Cu/低-k 兼容清洗、光刻膠剝離；
• 面板：LCD/OLED 濕法再生、ITO 蝕刻后殘膠去除；
• 制藥/生物：超純水管網在線消毒、發酵罐 CIP/SIP；
• 精密電鍍：取代 H?SO?/H?O? 粗化，實現低蝕刻速率銅面改性。

6. 選型與擴展

• FA1X-L：低濃度型 (≤30 mg/L)，適合大流量漂洗；
• FA1X-H：高濃度型 (≤250 mg/L)，適合局部點膠清洗；
• 可選雙槽并聯模塊，實現 24 h 連續運行（一槽工作，一槽維護/反洗）；
• 可內置 0.1 μm 過濾器 + 超純換熱器，直接對接 UPW 回路。